自从问世以来在世界各国都倍受关注。它能够准确的通过客户的不同要求通过交直交的变换技术，将给定的交流电转换成频率和电压在一些范围内可调的交流电，而且其谐波含量很少。因此，它的开发与应用发展前途十分诱人。
功率器件的性能指标决定变频电源的发展。20世纪60年代，GTO的问世实现了门极可关断功能。70年代中期，功率金属氧化物场效应管和高功率晶体管的问世，实现了场控功能，至此打开了高频的大门。到80年代，一种兼具MOSFET和GTR二者优点的IGBT电力器件出现，其栅极采用电压控制，驱动功率小;工作频率高，开关损耗小;没有二次击穿，是目前功率电力电子装置中的主流器件。当代，随着不断革新的功率器件的出现，美日欧等大规模集成脉宽调制电路、零电压、零电流变换的拓扑电路和DSP、ARM等智能处理器的广泛应用，使得电源逐渐朝着小型化、集成化、智能化方向发展。国内变频电源产业高质量发展虽只有十几到二十年的历史，但业绩甚佳，也在开关频率方面达到了前所未有的地步，某些特定的程度上降低了原材料的消耗，使装置小型化，加快了系统的动态响应速度，提高了电源的效率。
本文搭建了一个基于DSP的变频电源的实验装置，下面将详细的介绍变频电源整流、驱动、逆变和滤波等各个模块的原理图设计。
变频电源结构框图如图1所示。本文中变频电源输入频率为市电频率50 Hz，输出频率为60 Hz.由图1能够准确的看出，整个变频电源的硬件部分由整流模块、逆变模块、隔离驱动模块和滤波模块组成。
常用的三相桥式整流电路大概能分为三种：不控整流、全控整流、半控整流。它们的电路结构均是一样的，如图2所示，只是所使用的整流元器件不同。三相桥式不控整流电路的整流器件是普通的电力二极管，是不可控的器件。当它承受正向电压时会立即自然导通，承受反向电压时会立即阻断，电路设计简单，功耗较小。其输出电压的平均值可以表示为：
三相桥式全控整流电路的整流管全为可控的晶闸管开关器件，桥式半控整流电路的整流管为可控的晶闸管和不控二极管的组合。开关器件晶闸管开通一定要具有两个条件：正向电压;触发电流脉冲。这就要求在整流时要附加脉冲产生电路，时间上会产生延迟，也就是延迟触发角。综合分析以上三种整流方式可知：桥式不控整流电路设计简单，功耗小;而全控和半控整流电路控制复杂，晶闸管在导通后功耗相对较大，触发角控制不好会使电路出现断续现象，所以本文采用简单的三相桥式不控整流电路。
整流之后由于脉动电压比较大，本文选取并联电容进行滤波。电容作为储能元件，具有隔直通交、隔低频通高频的功能。在电压型整流电路中，为使输出电压更加平滑，理论上滤波电容取值越大越好。然而实际工程上并不希望这样，因为电容值越大，其体积越大，成本越高，性价比反而越低，而且在电路接通瞬间，瞬时电流非常大，会破坏元器件。根据文献[1]，选取滤波电容的值为1 650F，考虑到耐压值越高价格也越高，选用两个3300F的电容串联，以此来平分电压，如图2所示。
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