GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管？

  适配器。 随着全球众多消费者，企业和工业市场客户的产量提高，GaN Systems预计氮化镓晶体管的价格会促进降低。

  多年来，尽管人们已经认识到氮化镓的性能优势，包括较低的总体系统成本，更高的功率密度和功率效率，但许多电源系统制造商还是选等待氮化镓接近硅的价格再采用。

  “等待已结束，我们终于看到价格低于1美元，这是一个里程碑。 随着数量的猛增，氮化镓价格已经逼近甚至低于硅MOSFET的价格，” GaN Systems首席执行官Jim Witham评论道。 “在短短几年内，我们正真看到氮化镓使电源系统变得更小，更轻，更凉也更便宜。 因此现在有非常多的客户在其产品和设计中使用氮化镓，也就不足为奇了。”

  市场对氮化镓功率半导体的需求一直在增长。 根据“宏景研究所”Grand View Research）的预测，全球氮化镓半导体器件市场将从2020年的16.5亿美元（市场规模价值）以19.8％的复合年增长率增长，到2027年达到58.5亿美元。GaN Systems公司一直在经历这种增长，它最近宣布达到了2千万氮化镓晶体管的出货量 ，并将在2021年实现40倍的产能扩展。

  根据Yole Développement 的说法，氮化镓的采用率上升是由大批量消费品市场（如快速充电器应用）推动的。 消费者和企业应用市场的快速地增长，以及GaN Systems公司对工艺的一直在改进和对成本控制的关注，使氮化镓价格下调成为可能。

  由于GaN Systems公司业已证明的可靠性和大批量生产能力，这一趋势使其在许多市场上迅速采用氮化镓方面处于有利地位。

  声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

  移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天

  越来越多地用于所有的领域：汽车领域中的电源供应以及电流的转换和使用。这些组件将很快取代它们各自的前身。让我们看一下如何更好地管理包括临界条件在内的不同工作条件，以优化电路性能并获得

  ：超级结 MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化镓 (

  的岛技术 （Island Technology®） 单元布局以减小器件尺寸和成本，同时提供比其他

  多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被普遍的使用，但是在一些新设计中，氮化镓（

  的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量

  HEMT的集成解决方案，大大简化了高压高频交流电机的逆变器设计。在此之前

  与其驱动器的封装集成消除了共源电感，以此来实现了高电流压摆率。它还减少了栅极环路电感，以尽可能地降低关闭过程中的栅极应力，并且提升器件的关断保持能力。集成也使得设计人员能够为

  使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（

  （MOSFET）是在20世纪70年代末开发的，但直到20世纪90年代初，JEDEC才制定了标准。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格认证对

  半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）能轻松实现更高功率，更高开关速度的

  材料作为第三代半导体材料的核心技术之一，具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由

  材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了

  （MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。

  本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 编辑 可靠性和成本效益比较长的工作寿命在烹饪和加热应用中，射频功率

  ` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（

  （HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。

  （HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。

  （HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格

  ` 本帖最后由 射频微波技术 于 2021-4-8 09:15 编辑 Wolfspeed的CGHV60040D是氮化镓（

  具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs

  内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有非常出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化

  （HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更加好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度

  的出现以及电路设计技术的升级，衍生了一些可以轻松操作毫米波频率的新设备，开启了几十年前难以想象

  ，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒

  Technologies企业成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率

  Technologies企业成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率

  on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100％大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率

  HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号：IGT2731L120产品的名字： S波段

  的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及怎么样应对未来挑战等问题。相较于以往使用的硅

  衬底是最有希望替代蓝宝石衬底的候选者之一，蓝宝石衬底常用于 III 族氮化物器件，如发光二极

  湿化学蚀刻[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：目前

  ,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过

  ）。这种器件倾向在一个异质基板上生产，典型的是硅或碳化硅，并具备三个电极：源极、漏极、栅极。为

  目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受一定的影响。 而增强型氮化镓

  ）需要几毫安才能上电，并能由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更加多的电力。输入

  )是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但

  器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这样一些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。

  (FET) 可明显降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件

  出色的性能，您很兴奋。样品总算来到，您将它们放入板中。您打开电源，施加负载，结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的开关问题。这些

  为原文Hello, Can anybody tell me how to add

  device in schematic window because when I

  Conversion；EPC)、GaNSystems与Transphorm等公司。各大功率半导体业者的不同

  专利（来源：Yole）然而，这一市场也存在整并压力，这一点从英飞凌收购IR、英飞凌

  kV范围内;松下栅极驱动器IC松下于2016年底为希望使用GiT快速部署解决方案的开发人员

  ：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用

  和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高电压转换器我们第一步要宣布的是来自意法半导体的消息。最近，它

  HEMT等效电路（左）和建议的驱动方案（右）。当并联配置CoolGaN™

  器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（

  HEMT凭借其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率，已成为基站PA的有力候选技术。

  器件，欢迎各位前来索样并与维安的专家讨论其特性。[size=0.19]WGB65E450S WGB65E225S WGB65E150S WGZ65E150S表三 维安

  (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不但可以显著

  日前，射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案

  联名的NTP8G202N （TPH3202PS）和NTP8G206N （TPH3206PS） 600 V

  的皮秒量级上升时间时，即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定

  的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近

  经过大量实践检验，已被证明安全可靠的硅MOSFET慢慢的变成了电源电路设计的中流砥柱，但随着基于氮化镓的最新功率器件技术的发展，电源设计的趋势正逐渐转向

  已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥

  已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥

  ST 发布了市场首个也是唯一的单封装集成 600 V 栅极驱动器和两个加强版氮化镓（

  的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制

  材料是第三代半导体的典型代表，具备宽禁带、高击穿场强、高热导率和高峰值电子漂移速度等优质性能。因此，

  是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的工作速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 EPC 的

  是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的工作速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用

  是一种高度移动的半导体电子半导体 (HEMT)，被证明在满足新应用方面具有真正的附加值。

  的性能表明效率和性能得到了显着提高，从而带来了一些硅技术没办法实现的新应用。板空间非常昂贵。eGaN®的FET，从EPC，在低电感，低电阻，

  的顶部生长氮化铝镓（AlGaN）薄层并在界面施加应力，由此产生二维电子气（2DEG）。2DEG用于在电场作用下，高效

  （FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V

  技术有助于实现以上描述的目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。

  Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。